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摘要
随着半导体集成度的不断提高，铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时，铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司（ASE）已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而，钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技术工艺仍是一个很大的挑战。化学镀是在绝缘体表面形成金属种子层的一种非常简单的方法，通过超级化学镀填充方式，直径为几纳米的盲孔可以无空洞和无缝隙的方式完全填充。本文综述了化学镀钴的研究进展，并分析了还原剂种类对化学镀钴沉积速率和镀膜质量的影响。同时，在长期从事超级化学填充研究的基础上，作者提出了通过超级化学镀钴技术填充7 nm以及一下微盲孔的钴互连线工艺。
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