摘要

柔性氧化物薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)广泛应用于柔性有机发光二极管(OLED)显示、柔性传感、仿生突触等领域,因其具有迁移率高、电流开关比大、器件均一性好、柔韧性好和轻薄等优点而备受业界关注。其中,栅绝缘层对柔性TFT的性能至关重要,它不仅影响着器件的基本电学性能,对器件的偏压、光照稳定性也有着明显的影响。因此,栅绝缘层材料及其制备工艺是实现制备高性能柔性TFT的关键。本文综述了柔性TFT栅绝缘层的研究进展,首先介绍了几种典型的薄膜制备技术;接着,介绍了可应用于柔性TFT的栅绝缘层材料,包括无机高介电常数(高K)栅绝缘层材料,如氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)和氧化铝(Al2O3),有机栅绝缘层材料,如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚乙烯醇(PVA),以及双电层电解质材料,论述了几种栅绝缘层的优缺点;最后,对柔性TFT的栅绝缘层进行了总结,并对未来栅绝缘层技术进行了展望。