基于SOI衬底和外延衬底的高速光电探测器研究

作者：王华强; 李冲; 刘巧莉; 丰亚洁; 何晓颖; 郭霞

来源：光通信技术, 2018, 42(08): 37-40.

DOI：10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2018.08.010

• 光电探测器
• SOI/EPI衬底
• 互补金属氧化物工艺
• 小信号带宽
• 响应度

高速硅基光电探测器价格低廉且易于和光接收机集成,在短距离光通信中被广泛应用。对基于绝缘硅(SOI)和外延(EPI)两种不同衬底的互补金属氧化物(CMOS)工艺的光电探测器进行了理论模拟和实验研究,理论模拟和实验规律一致。实验表明,研制的基于SOI衬底的光电探测器的小信号带宽最高为205MHz,响应度为0.051A/W;基于EPI衬底的光电探测器在相同条件下最高带宽为131MHz,响应度为0.21A/W。

• 单位
  信息光子学与光通信国家重点实验室; 北京邮电大学; 北京工业大学; 电子工程学院