氧化锆类高介电常数前驱体材料的研究进展

作者：董玉成; 王新鹏

来源：化工新型材料, 2023, S2: 107-117.

DOI：10.19817/j.cnki.issn1006-3536.2023.S2.022

• 氧化锆
• 高k前驱体
• 先进制程

氧化锆是动态随机存取存储器(DRAM)制造中重要的高介电常数(k)材料。其由于具有相对高的k值、宽的带隙以及成熟的原子层沉积(ALD)工艺，因此作为替代传统的SiO2和SiON绝缘体的高k材料已被深入研究。总结了近年来卤化锆、锆的烷基醇盐及氨基醇盐、β-二酮锆盐、茂基锆配合物、锆的烷基氨盐、杂配型锆配合物等含锆前驱体的研究进展，分析了相关的优点及不足，并展望了未来可能的发展趋势。