浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响

作者：湛涛; 冯全源^*

来源：微电子学, 2023, 53(05): 917-923.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230048

• 屏蔽栅
• 浮动电极
• 特征导通电阻
• 特征栅漏电容

提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构，通过改善电场分布，优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上，仅通过增大外延层掺杂浓度，改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度，最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm2、特征栅漏电容为4.72 pF·mm-2的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比，在击穿电压不变的条件下，浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。

• 单位
  西南交通大学