随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化的主要因素。现有很多方法缓解电路的NBTI点,如何避免每种方法的缺点而尽可能地发挥其最大的优势成为研究的重点。