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摘要
为满足高速、高精度射频电路的要求，设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响，电路没有采用运放结构生成基准电压。利用双极型晶体管基极-发射极电压VBE的负温度特性，在高温时对基准电压进行曲率补偿，减小基准电压的温漂。电路基于180 nm BiCMOS工艺线，采用Cadence仿真验证。在-40～85℃温度范围内，5 V电源电压下，温度系数为5.7×10-6/℃，电源电压抑制比可达到-88 dB。
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单位中国电子科技集团公司第五十八研究所
