分子束外延HgCdTe/CdZnTe(211)B表面缺陷研究

作者：**; 高达; 李震; 刘铭

来源：红外, 2021, 42(10): 9-15.

• 分子束外延
• HgCdTe
• CdZnTe
• 缺陷

HgCdTe材料的表面缺陷是造成探测器性能下降的主要原因之一。采用聚焦离子束(Focused Ion Beam, FIB)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)和能量色散X射线光谱仪(Energy Dispersive X-ray Spectrometer, EDX)研究了碲锌镉(CdZnTe)基HgCdTe外延层的表面缺陷。通过分析不同类型缺陷形成的原因,确定缺陷起源于HgCdTe材料生长过程。缺陷的形状与生长条件关系密切。凹坑及火山口状缺陷与Hg缺乏/稍高生长温度、分子束源坩埚中材料形状变化造成的不稳定束流有关。金刚石状缺陷和火山口状/金刚石状复合缺陷的产生与Hg/Te高束流比、低生长温度相关。在5 cm×5 cm大小的CdZnTe(211)B衬底表面上生长出了组分为0.216、厚度约为6.06～7■m的高质量HgCdTe外延层。同时还建立了缺陷类型与HgCdTe薄膜生长工艺的关系。该研究对于制备高质量HgCdTe/CdZnTe外延层具有参考意义。

• 单位
  华北光电技术研究所