CeO2磨料在介质化学机械抛光及后清洗中应用的研究进展

作者：闫妹; 檀柏梅^*; 王亚珍; 李伟; 纪金伯

来源：稀土, 2023, 44(03): 106-117.

DOI：10.16533/j.cnki.15-1099/tf.20230007

• 氧化铈
• 浅沟槽隔离
• 化学机械抛光
• 3+浓度" name="keyword">Ce3+浓度
• 复合磨料
• 材料去除速率
• CMP后清洗

氧化铈(CeO2)磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异，是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料，如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO2-SiO2间的相互作用会大幅加快介质的去除率，但Ce—O—Si化学键的形成会导致CMP后清洗工艺的难度加大，因此，晶圆表面残余CeO2磨料的有效去除被广泛关注。本文概述了CeO2在二氧化硅CMP及后清洗工艺中的应用研究进展，并对CeO2磨料的附着、去除机理进行了归纳分析。重点综述了复合磨料对CMP性能的影响以及水抛光工艺、物理及化学等方法的清洗效果。同时，对氧化铈作磨料的STI CMP及后清洗工艺中所面临的问题进行了总结，以期为其提供有价值的思考。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学