表面氢化对SiC/金属接触的作用机理

作者：罗小蓉; 李肇基; 张波; 龚敏

来源：固体电子学研究与进展, 2004, 24(02): 164-167.

DOI：10.3969/j.issn.1000-3819.2004.02.003

• 氢化
• 极性
• 界面态
• 接触电阻
• 理想因子

提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0～ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0°C以下制备了比接触电阻 ρc=5～ 8× 1 0 - 3Ω·cm2的 Si C欧姆接触和理想因子 n=1 .2 5～ 1 .3的肖特基结。与欧姆接触采用 95 0°C高温合金制备的 Si C肖特基二极管比较表明 ,表面氢化处理不仅能避免高温合金 ,降低工艺难度 ,而且能改善器件的电学特性。

• 单位
  四川大学; 电子科技大学