采用有限元模拟法，研究了微铜柱互连点在热冲击载荷条件下的应变和应力，并分析了微互连点的裂纹生长情况。结果表明，封装结构最外侧的微互连点为最易失效互连点（关键互连点）。累积塑性应变能密度主要集中在芯片侧铜焊盘附近，且由外向内逐渐递减，这表明裂纹形成在芯片侧，并沿着焊盘由外向内扩展，最终贯穿整个互连点。试验结果与模拟分析一致，进一步验证了模拟结果对裂纹生长的分析的合理性。
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