氩等离子体诱导量子阱混合技术

作者：彭盛华; 张欣; 何建军

来源：浙江大学学报(工学版), 2011, (06): 1057-1061.

• 量子阱混合
• 氩等离子体
• InP牺牲层
• 光致发光(PL)
• 退火温度
• ICP功率 quantum well intermixing
• argon plasma
• InP sacrificial layer
• photoluminescence(PL)
• annealing temperature
• ICP power

研究了基于InGaAsP/InP应变多量子阱片的氩等离子体诱导量子阱混合工艺方法.当等离子刻蚀机(ICP)的射频(RF)功率为480W、ICP功率为500W、处理时间为1min时,ICP处理过程中氩(Ar)等离子体对量子阱片的刻蚀深度小于牺牲层的厚度500nm,晶格缺陷将产生在牺牲层内.样品在纯氮气条件、不同温度下快速退火2min,缺陷扩散至量子阱层诱发量子阱混合.不同实验条件的样品PL光谱表明:随着退火温度和ICP功率的增加,量子阱片的光致发光谱(PL)峰值波长会发生显著的蓝移,分别在750℃和500W时趋于饱和;此时获得的蓝移为110nm,PL强度为原生片的55%,量子阱层仍保持了较好的晶...

• 单位
  浙江大学; 现代光学仪器国家重点实验室