氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理

作者：胡成余; 秦志新; 冯振兴; 陈志忠; 杨华; 杨志坚; 于彤军; 胡晓东; 姚淑德; 张国义

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (06): 1154-1158.

• p型氮化镓
• 镍/金
• 比接触电阻
• 同步辐射
• 卢瑟福背散射 p-GaN
• Ni/Au
• specific contact resistance
• synchrotron XRD
• RBS

用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与pGaN的接触,使ρc显著升高.

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室; 物理学院; 北京大学