不同锡硫配比及热处理参数对SnxSy薄膜结构特性的影响

作者：白海平; 李健; 姚虹^*; 么强^*

来源：内蒙古农业大学学报(自然科学版), 2020, 41(02): 80-87.

DOI：10.16853/j.cnki.1009-3575.2020.02.015

• SnxSy
• 薄膜
• 真空蒸发
• 结构特性

真空热蒸发法制备纳米SnxSy薄膜。在玻璃衬底制备好的薄膜利用不同的热处理工艺条件对其进行热处理,可得到晶相结构性能良好的纳米SnxSy多晶薄膜。研究发现不同锡硫摩尔配比的混合蒸发粉末对合成SnxSy薄膜有较大的影响。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:0.8制备的薄膜,在氮气气氛下进行热处理,热处理条件为T=330℃,t=40 min时,可得到P型SnS薄膜,其微观结构良好、且沿(021)晶向择优生长,属正交晶系,晶粒尺寸约为62.17 nm。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:1.2制备的薄膜,热处理温度为430℃在氮气保护下热处理40 min,可获得Sn2S3薄膜,导电类型为N型,并且晶相结构良好,也属正交晶系,其晶粒尺寸约为60.37 nm。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:1.5时,同样热处理温度为430℃在氮气保护气氛中热处理40 min,可获得SnS2薄膜,其结构性能良好,导电类型为N型,属六角晶系,其晶粒尺寸约77.07 nm。能谱分析给出,Sn2S3薄膜化学计量偏离标准化学计量比稍大,SnS,SnS2薄膜化学计量与标准化学计量比比较接近。

• 单位
  内蒙古大学; 内蒙古农业大学