在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法

作者：**光; 林早阳; 李国强; 徐珍珠

来源：2018-12-13, 中国, ZL201811524550.8.

本发明公开了在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法,包括以下步骤：(1)衬底以及晶向选取：选Si(111)作为衬底；(2)衬底表面清洗与再氧化；(3)衬底退火处理：将衬底放入反应腔内,在690～720℃对处理过的Si衬底进行10～15分钟的退火处理；(4)GaAs纳米线的制备：采用分子束外延生长工艺,利用两步温度法在经过上述处理后的Si衬底上生长GaAs纳米线。本发明具有生长工艺简单,制备成本低,可以生长出密度高,形貌好的GaAs纳米线的优点。同时本发明制备的GaAs纳米线晶体质量好,比表面积大,没有引入异质元素杂质,具有较高的发光效率和光吸收率。

• 单位
  华南理工大学