胺菊酯分子印迹电化学传感器的制备及性能

作者：栾崇林; 李铭杰; 李仲谨; 苏秀霞; 蒋晓华

来源：理化检验:化学分册 , 2011, (08): 885-888+893.

• 分子印迹
• 邻氨基酚
• 胺菊酯
• 电化学传感器 Molecular imprinting
• o-Aminophenol
• Tetramethrin
• Electrochemical sensor

以邻氨基酚(OAP)为单体,胺菊酯为印迹分子,采用循环伏安法在玻碳电极上电化学聚合制备了胺菊酯分子印迹敏感膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)和电化学方法对该印迹传感器进行了表征。结果表明:分子印迹传感器敏感膜洗脱前和洗脱后在形貌结构和电化学特性方面有明显的不同。以铁氰化钾为电化学探针,利用差分脉冲法(DPV)研究了传感器的响应性能,胺菊酯浓度在10.0～100nmol·L~(-1)范围内,传感器峰电流变化(△i)与胺菊酯浓度c呈线性关系,检出限(3σ)为5.8nmol·L~(-1)该传感器的响应时间为10min,测定相对标准偏差(n=7)为2.76%,回收率在96.0%～103.0%之间。

• 单位
  深圳职业技术学院; 陕西科技大学