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摘要
本发明公开了一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置,包括进气口和反应室,所述反应室上方设有顶盖,进气口竖向贯穿于顶盖,反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构；反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座,衬底承载座的外径小于腔体的内径,衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为排气通道；衬底承载座侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构,其与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构。本发明极大地抑制了反应室的气体向上翻滚形成的涡流,提高了高速旋转的衬底承载座附近气场的稳定性；倒圆角流线型设计缩小并优化了承载座与腔体内壁间的距离,使得由反应室进入排气通道中的气体不易向上翻滚,进一步提高了反应室气流的稳定性和薄膜生长的均匀性。
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