1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究

作者：李占行; 艾尔肯·阿不都瓦衣提; 玛丽娅·黑尼; 方亮; 高伟; 高慧; 孟宪松; 郭旗

来源：发光学报, 2017, 38(04): 463-469.

• 辐射效应
• 辐照退化
• 晶格匹配
• 晶格失配
• 三结太阳电池

对采用MOCVD方法制备的晶格匹配(LM)与晶格失配(UMM)GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池进行了1MeV电子辐射效应研究。结果表明:在电子辐照下,两种电池的I-V特性参数(开路电压Voc,短路电流Isc,最大输出功率Pmax)均发生衰降,且晶格失配电池的I-V特性参数衰降均大于晶格匹配电池。在光谱响应方面,对于顶电池,晶格匹配电池的衰降大于晶格失配电池;而中间电池则前者衰降小于后者;另外,Ge底电池的光谱响应表现特殊,辐照后光谱响应变强。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院新疆理化技术研究所; 中国电子科技集团公司第十八研究所