利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发性产物,加速了刻蚀速度。O2的加入生成的钝化膜会增强各向异性刻蚀,减慢了刻蚀速度,对衬底有刻蚀保护作用。增加压强可以增大刻蚀深度,但增加射频功率,刻蚀深度先是增加,达到一定值后下降。选择合适的工艺参数可以获得较为理想的金字塔形结构。
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