Si空位缺陷对Ca2Si电子结构及光学性质的影响研究

作者：邓永荣^*; 陈秋琳; 骆远征; 闫万珺

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(04): 278-281.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.04.010

• Ca2Si
• Si空位缺陷
• 第一性原理
• 电子结构
• 光学特性

基于第一性原理的方法计算了含Si空位缺陷Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明,Si空位缺陷出现使Ca2Si的晶胞体积增大,带隙变宽,导电类型为n型,静态介电常数、反射率增大,介电函数虚部ε2、吸收系数向低能方向移动。

• 单位
  安顺学院; 数理学院