铁(211)薄膜的反常霍尔效应

作者：宿刚

来源：通化师范学院学报, 2020, 41(08): 40-44.

DOI：10.13877/j.cnki.cn22-1284.2020.08.008

• 反常霍尔效应
• side jump
• 分子束外延
• 铁(211)单晶

通过分子束外延法生长了铁(211)单晶薄膜,得到了反常霍尔效应中非本征的side jump贡献的系数是-412 S/cm,与其他对称方向([001]、[111]、[110])的数据对比,首次发现铁薄膜非本征的side jump贡献的系数是负值,这为理论预言side jump贡献的符号因不同类型的散射相互竞争而发生改变提供了实验支持.

• 单位
  浙江海洋大学