<正>南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。通过增强金属原子横向迁移能力来改善晶体质量,利用超级富氮气体氛围来抑制氮空位等施主缺陷补偿的形成,且气流调制形成的能带周期性振荡,再进一步降低受主Mg杂质离化能,解决了高铝组分
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