MPCVD单晶金刚石高速率和高品质生长研究进展

作者:李一村; 郝晓斌; 代兵*; 舒国阳; 赵继文; 张森; 刘雪冬; 王伟华; 刘康; 曹文鑫; 杨磊; 朱嘉琦*; 韩杰才
来源:人工晶体学报, 2020, 49(06): 979-989.
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20200518.002

摘要

微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术被认为是制备大尺寸高品质单晶金刚石的理想手段之一。然而其较低的生长速率(~10μm/h)以及较高的缺陷密度(103~107 cm-2)是阻碍MPCVD单晶金刚石应用的主要因素,经过国内外研究团队数十年的不懈努力,在高速率生长和高品质生长两个方面都取得了众多成果。但是除此之外还需解决高速率与高品质生长相统一的问题,才能实现MPCVD单晶金刚石的高端应用价值。

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