2H α-In2Se3铁电体中极序工程控制的光电流和多态存储器(英文)

作者：吕宝华; 薛武红^*; 严志; 杨瑞龙; 吴昊; 王鹏; 张钰樱; 候佳妮; 朱文光; 许小红^*

来源：Science China-Materials, 2022, 65(06): 1639-1645.

控制铁电材料的极序可以丰富其特性和功能的多样性,为设计新型电子和光电子器件提供新的机会.本文报道了一种基于二维(2D)范德瓦尔斯(vdW)层状铁电材料2Hα-In2Se3的面内多态存储器件.通过施加面内电场调控铁电α-In2Se3层的极序,实现了可以相互切换的三种电阻态,其具有快的切换速度、良好的耐久性和保持性.值得注意的是,中间阻态(MRS)和低阻态(LRS)之间可以通过比其他基于2D铁电材料的存储器小1-2个数量级的超低电场来实现可逆切换.此外,还发现这三种不同的极序态表现出了特有的光响应.以上结果表明,α-In2Se3在非易失性高密度存储器和新型光电器件中具有很大的应用潜力.

• 单位
  中国科学技术大学