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摘要
本文设计了一款基于太赫兹有源器件的G波段高输出功率发射组件。组件通过两次混频，将X波段的中频信号上混频至G波段。通过理论分析及电磁场仿真后，加工制作了实物模型进行测试，整体组件的饱和输出功率优于25mW，带内杂散抑制度优于40dBc，并且在脉冲周期20μs，占空比10%的条件下可正常工作，达到了预期设计目标，满足工程化应用的需求。
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本文设计了一款基于太赫兹有源器件的G波段高输出功率发射组件。组件通过两次混频，将X波段的中频信号上混频至G波段。通过理论分析及电磁场仿真后，加工制作了实物模型进行测试，整体组件的饱和输出功率优于25mW，带内杂散抑制度优于40dBc，并且在脉冲周期20μs，占空比10%的条件下可正常工作，达到了预期设计目标，满足工程化应用的需求。
