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摘要
GaN HEMT功率器件通常用于高频开关频率下(MHZ以上)，尤其开关频率达到10 MHZ以上之后，对栅驱动芯片的内部的电源电路设计要求更加苛刻[1]。本文设计了一种带欠压保护功能的LDO电源产生电路，能实时检测电源电压是否处于欠压状态，进而通过关闭电源对芯片进行保护，避免欠压状态对芯片内部电路造成的损害。采用华润微电子0.18 um BCD工艺，完成了电路的仿真设计验证，LDO的输入电压为5 V、输出电压为1.8 V，负载电流在0 mA到20 mA,1 MHz频率跳变时测得下冲电压为500 mV左右，其负载瞬态响应的时间420 ns左右。输入电源电压从欠压到正常跳变，以及正常状态到欠压跳变过程中，欠压保护电路均能很好实现控制信号输出。
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