基于电学修正多晶硅纳米薄膜的压力传感器

作者：陆学斌; 孙伟; 于斌

来源：传感技术学报, 2022, 35(10): 1335-1339.

• 压力传感器
• 多晶硅纳米薄膜
• 电学修正
• 压阻特性

为了进一步提高多晶硅纳米薄膜压力传感器的性能，使用80 nm厚度的多晶硅纳米薄膜作为压力传感器的压敏电阻，设计制作了一款压力传感器。压力传感器制备封装完毕后，利用电学修正技术使多晶硅纳米薄膜压敏电阻更精确地匹配。对压力传感器的制备流程进行了完整描述，在25℃至200℃的温度范围内，测试了压力传感器的性能。压力传感器的满量程为0.6 MPa,在25℃和200℃时，灵敏度分别为22.19 (mV/V)/MPa和18.30 (mV/V)/MPa,在没有外界补偿的情况下，灵敏度的温度系数约为-0.10%/℃。在25℃和200℃时，失调分别是1.653 mV和1.615 mV,失调的温度系数约为-0.013%/℃。由于电学修正多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性和温度稳定性，压力传感器表现出较好的性能。

• 单位
  湖州职业技术学院物流与信息工程学院; 哈尔滨理工大学; 湖州职业技术学院建筑工程学院