本发明公开了一种铜锑硒光吸收层的钼铜叠层衬底单源热蒸发制备方法,采用磁控溅射法依次沉积钼、铜,形成钼/铜叠层衬底,之后单源热蒸发沉积Sb-2Se-3,使Sb-2Se-3和铜衬底直接反应生成CuSbSe-2薄膜。本方法主要优势如下：(1)适合柔性衬底CuSbSe-2电池的卷对卷流水线生产工艺；(2)单源热蒸发,一步生成CuSbSe-2薄膜,简化了多源共蒸发的传统生产工艺,并且大幅降低了设备成本；(3)生成的CuSbSe-2薄膜结晶性好,均匀致密。
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