在蒙特卡洛模拟程序中构建三维仿真模型，对热压微晶碳化硼材料的中子屏蔽性能进行模拟仿真。仿真结果表明，碳化硼在材料中的含量直接影响着中子的投射系数，可以通过调整材料中碳化硼的含量，改善中子屏蔽效果；在普通材料的高能中子区和低能中子区添加相同含量的碳化硼，对中子屏蔽性能产生的影响存在差异，高能中子的屏蔽性能优于低能中子的屏蔽性能；中子屏蔽性能也受屏蔽体材料厚度的影响，将碳化硼添加到普通材料中，可以提高屏蔽效果，降低屏蔽材料的厚度，且屏蔽厚度与碳化硼含量之间呈反比。
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