一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法

作者：侯斌; 牛雪锐; 王博麟; 杨凌; 武玫; 张濛; 王冲; 马晓华; 郝跃

来源：2022-01-06, 中国, CN202210013550.1.

本发明公开了一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法,包括：提供第一衬底并生长外延结构；去除第一预设区域内的p-GaN层,并在第二预设区域内刻蚀形成第一凹槽；在p-GaN层表面沉积形成SiN层；在SiN层表面键合第二衬底,翻转样品并刻蚀掉第一衬底及GaN缓冲层；刻蚀电隔离区域、n沟道器件有源区和p沟道器件有源区；制作n沟道器件和p沟道器件的源、漏极；刻蚀n沟道器件的GaN层形成第二凹槽并沉积Al-2O-3；去除n沟道器件以外的Al-2O-3,并制作n沟道器件和p沟道器件的栅极；生长SiN保护层,并光刻金属互联层开孔区后引出电极,本发明可改善沟道载流子迁移率,进而改善p沟道器件的电学特性。

• 单位
  西安电子科技大学