科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明提供一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法及系统,能够支持SRAM混合仿真,将器件级的仿真信息加入电路级的仿真中,进行单粒子效应仿真分析。该方法包括：分析SRAM单元器件结构模型加入单粒子效应物理模型,提取单粒子效应电流源脉冲；建立多LET单粒子效应脉冲电流源等效模型并生成SPICE可以使用的仿真模型；根据用户提供的SRAM电路网表文件提取SRAM中的所有敏感节点,生成SRAM敏感节点列表文件；依据前面生成的SPICE可用的多LET单粒子效应脉冲电流源等效模型,结合SRAM敏感电路节点列表文件,编写脚本随机选取SRAM节点和故障注入时间,生成故障注入文件；分别计算翻转阈值和翻转截面。
- 单位
