Stage2沉积速率对低温生长CIGS薄膜特性及器件的影响

作者：李志国; 刘玮; 何静婧; 李祖亮; 韩安军; 张超; 周志强; 张毅; 孙云

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (03): 486-493.

• Cu(In
• Ga)Se2(CIGS)
• 太阳电池
• 沉积速率
• 低温生长 Cu(In
• Ga)Se 2 (CIGS)
• solar cells
• deposition rates
• low-temperature growth

研究了三步法第二步沉积速率对低温生长Cu(In,Ga)Se2薄膜结构、电学特性和器件特性的影响.通过改变第二步沉积速率发现,提高沉积速率可以显著促进薄膜晶粒生长,提高晶粒紧凑程度降低晶界复合,同时有效改善两相分离现象,提高电池的开路电压和短路电流,有助于Cu(In,Ga)Se2电池光电转换效率的提高.但同时研究表明,随着第二步沉积速率的增加,会促进暂态Cu(2-x)Se晶粒的生长,引起Cu(In,Ga)Se2薄膜表面粗糙度增大,并阻碍Na向Cu(In,Ga)Se2薄膜表面的扩散,造成施主缺陷钝化效应降低,薄膜载流子浓度下降和电阻率升高,且过高的沉积速率会引起电池内部复合增加并产生分流路径,造成...

• 单位
  南开大学