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摘要
本实用新型公开了一种具有П型栅的GaN基射频器件。所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层,AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构,凸台上部为有源区,有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极,AlGaN/GaN异质结外延层上表面连接有源区以外的区域等有一层栅介质层,栅介质层的上表面连接П型栅电极,П型栅电极位于源电极和漏电极之间。本实用新型提出的П型栅的两个与AlGaN/GaN异质结外延层直接接触的具有一定间隔的栅脚,在保证栅阻近乎不变的情况下,有效地缩小了栅电极的长度,提高了截止频率。
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