基于自建的太赫兹散射型扫描近场显微镜系统(THz s-SNOM),研究了其在显微表征半导体载流子浓度分布中的应用。对基于半导体硅的静态随机存取存储器(SRAM)的纳米结构进行了近场显微成像测量,并采用可见光调控本征硅样品表面的载流子浓度,实现了不同浓度(1014～1017 cm-3)光生载流子的近场检测。结果表明,此THz s-SNOM能够对半导体微纳结构的载流子分布进行高空间分辨率的显微表征,测量结果与基于偶极子模型的计算结果具有较好的吻合度。
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