非直流电压对N~*-SmC~*相序铁电液晶排列的影响

作者：季新建; 李静; 邹忠飞; 唐先柱; 宣丽

来源：液晶与显示, 2008, (03): 271-275.

• 铁电液晶
• 半“V”字形
• N*-SmC*相变
• 剩余电荷 ferroelectric liquid crystal
• half-"V"-shaped switching
• N*-SmC* phase transition
• residual charge

半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=-3V/μm,一个脉冲周期20ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响。

• 单位
  国家知识产权局; 中国科学院研究生院; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 应用光学国家重点实验室