两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管

作者：梁亦然; 夏继业; 梁学磊

来源：科学通报, 2016, 61(21): 2427.

DOI：10.1360/zk2016-61-21-2427

• 薄膜晶体管
• 沟道
• 开关比
• 碳纳米管
• 电泳法

<正>与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT-TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法,在基底上得到的是无序的网络状薄膜,存在大量的CNT交叉结.受CNT材料制备的限制,溶液中通常含有一定比例的金属型CNT,从而有可能形成连接源漏电极的金属

• 单位
  北京大学