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摘要
一般情况下半导体材料可以吸收一个能量大于带隙的光子，使价带中的一个电子跃迁到导带。但是，在某些特殊的情况下，半导体材料也能吸收多个能量小于带隙的光子，使价带中的一个电子跃迁到导带，这就是多光子吸收效应。多光子吸收效应是一种非线性光学效应。该综述首先介绍了多光子吸收效应的理论基础和测试方法，然后回顾了多光子吸收效应的研究成果，最后展望了半导体低维结构中的多光子吸收效应研究，以及潜在的应用前景。
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单位中国电子科技集团公司第十一研究所
