分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究

作者：高达; 李震; 贺融; **; 邢伟荣; 王丛; 折伟林

来源：激光与红外, 2023, 53(09): 1384-1387.

• 分子束外延
• 碲镉汞
• HgTe/CdTe超晶格

报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料，并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料。

• 单位
  华北光电技术研究所