铜掺杂类金刚石纳米点阵列的制备及场发射性能研究

作者：崇二敏; 李晓春; 李春; 闫鹏勋; 张鹏举; 刘洋; 范晓彦

来源：人工晶体学报, 2008, (01): 29-32.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.01.030

• 磁过滤等离子体
• 铜掺杂类金刚石纳米点阵列
• 氧化铝模板
• 场致发射 filtered cathodic arc plasma
• Cu-doped diamond-like carbon nanodot arrays
• anodic aluminum oxide template
• field emission

利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列。微观分析表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列分布均匀,密度高达109cm-2;利用X射线光电子能谱对制备的铜掺杂类金刚石纳米点阵列进行结构分析,测得铜的掺杂量为3.6%且sp3键含量高达60%;通过对铜掺杂类金刚石纳米点阵列的场发射性能测试,试验结果表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列开启电场和阈值电场分别为0.08V/μm,0.42V/μm,并且在电场值为0.67V/μm时,发射电流密度高达95mA/cm2,场发射性能明显优于无掺杂类金刚石纳米点阵列。

• 单位
  固体润滑国家重点实验室; 中国科学院兰州化学物理研究所