硅纳米线的表面掺杂效应及应用

作者：廖凡; 黄慧; 康振辉; 刘阳; 邵名望^*

来源：化学教育 (中英文), 2020, 41(08): 105-107.

DOI：10.13884/j.1003-3807hxjy.2019050172

• 铜
• 氧化
• 硅纳米线
• 表面掺杂

纳米材料具有较大的比表面积,表现出与块体材料不同的性质。通过实验证明氢负载的硅纳米线能够加速铜氧化过程。这一过程可以用表面掺杂效应进行解释。这种由于尺寸的减小引起化学性质改变的现象——表面掺杂,有望能够在化学的各个领域得到广泛应用。

• 单位
  苏州大学