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摘要
从原子受力模型出发，研究光栅磁光阱中衍射光与磁场非正交条件下亚多普勒冷却机制，建立四束型和五束型光栅磁光阱中原子受力冷却和陷俘理论模型，分析光栅磁光阱作用下原子受到散射力与陷俘速度、回复力与形成势阱范围关系，以及光栅衍射角对原子陷俘速度和原子囚陷范围的影响。结果表明，衍射光与入射光的合力在磁场中心位置为零，构成有效势阱，光栅衍射角引起的衍射光偏振分量的变化对原子所受阻尼力、回复力和原子陷俘速度均有影响，也会最终影响到光栅磁光阱囚禁的原子数，为光栅磁光阱实现原子冷却和陷俘，以及光栅芯片设计提供了理论依据。
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单位华中光电技术研究所
