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摘要
本发明公开了一种N沟道金刚石MISFET器件及其制备方法,首先准备P型掺杂金刚石层；然后在P型掺杂金刚石层上露出源极和漏极的相应位置,采用刻蚀工艺在源极和漏极的相应位置处分别刻蚀凹槽；之后利用MPCVD工艺,采用硼-氧共掺方法在源、漏凹槽内沉积N型单晶金刚石,分别得到源极区域和漏极区域；之后移除源极区域和漏极区域以外的N型单晶金刚石；之后在栅极区域制备栅极介电层,最后在源极区域、漏极区域以及源极区域、漏极区域之间的栅极区域上分别制备源极、漏极和栅极,得到N沟道金刚石MISFET器件。本发明工艺简单,N型的源极区域和漏极区域同时兼具高电子浓度和高电子迁移率,能满足高功率器件要求。
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