SnSe纳米片的制备及其性能研究

作者：师好智; 曹萌^*

来源：电子元器件与信息技术, 2023, 7(07): 20-25.

DOI：10.19772/j.cnki.2096-4455.2023.7.005

• 硒化亚锡
• 纳米片
• 一锅法
• 光电化学

本文基于一锅法合成硒化锡(SnSe)纳米片，通过物理喷膜的方式将此纳米片制成薄膜并测试其光电性能、结构与形貌特征。实验过程中通过改变Se粉添加量控制SnSe的元素配比，通过EDS、SEM、XRD表征手段，研究Se的添加量对样品光电性能、结构与形貌特征的影响。结果表明，在Sn:Se=1.44:1.64条件下制备的薄膜性能最好，其元素组分接近1:1,SnSe禁带宽度为1.11eV，光电流密度为8.94μA/cm2，是非常适合吸收可见光的窄禁带半导体。通过电化学工作站测试其电化学性能，得知其为N型半导体，随着Se含量的增加，其电化学阻抗谱中的电荷转移电阻随之减小。

• 单位
  上海大学