CdTe/Si复合衬底Ex-situ退火研究

作者：刘铭; 周立庆; 巩锋; 常米; 王经纬; 王丛

来源：激光与红外, 2012, (08): 917-920.

• CdTe/Si
• MBE
• 晶体质量
• Ex-situ退火 CdTe/Si
• MBE
• crystal quality
• Ex-situ annealing

复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在。降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底偏向、In-situ退火和Ex-situ退火等,本文主要研究Ex-situ退火对复合衬底CdTe/Si晶体质量的影响。研究表明复合衬底经过Ex-situ退火后位错密度最好值达4.2×105cm-2,双晶半峰宽最好值达60arcsec。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十一研究所