太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

作者：林桂江; 赖虹凯; 李成; 陈松岩; 余金中

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (05): 916-920.

• Si/SiGe
• 量子级联激光器
• 子带阱间跃迁
• nextnano3 Si/SiGe
• quantum cascade laser
• intersubband interwell transitions
• nextnano3

使用nextnano3模拟软件计算Si/Si1-xGex/Si量子阱的能带结构,对Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计,结果表明使用Ge组分为0·27~0·3,量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构,有利于优化THzSi/SiGe量子级联激光器结构.

• 单位
  集成光电子学国家重点实验室; 厦门大学; 中国科学院半导体研究所