磁控溅射法制备BST铁电薄膜的实验研究

作者：章天金; 何军; 张柏顺; 潘瑞琨; 江娟; 马志军

来源：压电与声光, 2007, (01): 62-64+67.

• RF磁控溅射
• (Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜
• 介电常数
• 居里温度

采用射频磁控溅射法在Si和Pt/TiOx/SiO2/Si衬底上沉积了(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜,研究了BST铁电薄膜微观结构和介电性能。实验结果表明:衬底温度在550℃,工作气压为2.0 Pa的溅射条件下沉积的BST薄膜,经750℃退火处理30 min后,形成了完整的钙钛矿相;与Si衬底相比,在Pt衬底上制备的BST薄膜晶粒更均匀、表面平整无裂纹。在室温、频率为100 kHz条件下薄膜的介电常数ε=353.8,介电损耗tanδ=0.012 8。介电温谱结果表明制备的(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜居里温度在5.0℃左右。

• 单位
  湖北大学