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摘要
基于经验基EEHEMT等效电路模型,针对AlGaN/GaN HEMTs提出一种可缩放大信号模型,以准确获取宽栅多指器件的电学性能.所提出的模型从器件的栅宽、栅指个数角度出发,分别对器件模型的本征参数漏源电流、栅源电容和栅漏电容制定了相应的缩放规则.为了验证所提缩放大信号模型的准确性,通过总栅宽为14.4 mm的L频段GaN高效率功率放大器进行比对验证,仿真与测试结果在1120—1340 MHz频带内功率值不低于46.5 dBm,漏极效率值不低于70%,结果高度吻合.此外,利用该模型在对大栅宽GaN HEMTs基波信息进行准确仿真的基础上能很好预测器件的高次谐波信息,可为先进大功率、高效率的微波功率放大器的设计提供重要支撑.
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