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摘要
本发明涉及一种用于抑制短沟道效应的高电子迁移率晶体管及制备方法,包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层和沟道层；分别设置在沟道层两端的源极和漏极；设置在沟道层上的插入层；设置在插入层上的势垒层；设置在势垒层上的钝化层；沿着栅宽方向,设置有多个间隔排列的预设结构；沿着栅宽方向,在所有预设结构上设置有栅槽；设置于预设结构的内壁和栅槽中的势垒层上的介质层；设置于预设结构中、栅槽中和部分钝化层上的栅极。本发明的高电子迁移率晶体管能更好的避免DIBL所引起的阈值漂移,能更好地抑制短沟道效应所引起的大泄漏电流。
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