4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件

作者：张跃^*; 张腾; 黄润华; 柏松^*

来源：电子元件与材料, 2022, 41(04): 376-380.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0020

• 4H-SiC
• 台阶型沟槽
• MOSFET
• 栅氧化层
• 尖峰电场
• FOM值

介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽，使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真，确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明，与传统的UMOS器件相比，最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%。提出了形成台阶的一种可行性方案，并给出了实验结果，SEM结果表明，可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶。