直流磁控溅射制备Zr-B-O薄膜及其热稳定性

作者：孟瑜; 宋忠孝^*; 畅庚榕; 刘明霞; 成桢; 徐可为

来源：材料热处理学报, 2021, 42(11): 124-130.

DOI：10.13289/j.issn.1009-6264.2021-0392

• Zr-B-O薄膜
• 直流溅射
• 偏压
• 微观结构
• 热稳定性

利用直流磁控溅射技术在Si(100)基底上制备了不同偏压的Zr-B-O和Cu/Zr-B-O薄膜体系,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)等对薄膜样品的微观组织形貌和热稳定性进行表征分析。结果表明:不同偏压得到的Zr-B-O薄膜均为非晶结构,薄膜表面平整,膜厚均匀,膜基结合良好,薄膜方阻随偏压增加而减小;当退火温度低于750℃时,Cu膜表面完整连续,方阻较小,750℃退火后,由于Cu膜严重聚集并出现孔洞导致薄膜不连续而使电阻增加,但未发生Cu与Si的扩散,说明非晶Zr-B-O薄膜仍可以有效阻挡扩散。

• 单位
  西安交通大学; 金属材料强度国家重点实验室; 西安文理学院